1GB DDR 266PC2100RAM メモリ memory Upgrade for the Compaq HP BunkX80wOPN

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無電解ニッケルめっきの還元反応に必要な還元剤にDMAB(ホウ素)を用いためっき浴です。

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熱処理無しでも皮膜硬度が高く(Hv700~800)、耐摩耗性に優れています。Ni-BはP(リン)を含んでいないため、無電解ニッケルリンめっきと比較して耐食性は劣りますが、ハンダ付け性、ボンディング性に優れます。

無電解めっきのため均一電着性が良く、耐摩耗性やハンダ付け性を要する部品に適しています。

成分 B: 0.3 w%
組成 結晶性
融点 1350〜1400℃
電気抵抗 8〜9μΩ/cm
硬度 Hv 750
耐摩耗性
耐食性

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